作量其实也没少太多，因为其他的表征测试也是做了的，包括光源giwaxs，电镜tem、afm，电荷迁移率sclc，只是被放在了支持信息中，里面有足足20张图片。

当然，文章短不短的，对许秋来说也无关紧要。

他主要关注到三个点，即coi8dfic体系具有“超窄禁带宽度”、“高电流密度”、“对膜厚不敏感”的特点。

coi8dfic的禁带宽度只有1.26电子伏特，光吸收带边可以达到1000纳米，已经接近硅的禁带宽度了，常温下本征半导体硅的禁带宽度为1.12电子伏特。

也因此，基于coi8dfic二元体系的器件，短路电流密度就高达26毫安每平方厘米，三元体系更是达到了28毫安每平方厘米，比许秋现阶段拿到手的y系列受体都夸张。

当然，高短路电流密度也是有代价的，那就是开路电压偏低，只有0.68伏特。

不然，给这种电流密度配上一个0.8伏特以上的开路电压，打破现阶段世界纪录的课题组就不是许秋，而是李丹课题组了。

同时，coi8dfic还兼顾了idic系列的优点，在制备厚膜器件时，器件性能的衰减幅度较小。

因此，许秋初步判断，这种材料或许是ieico-4f等近红外受体材料的上位替代，值得进行尝试。

周日。

因为周六加班的缘故，许秋一觉睡到中午才醒。

他取过手机，打算看一眼时间，却发现微信像是被轰炸了一样，全是未读消息，还有一通来自魏兴思的未接来电。

难怪许秋在睡梦中总感觉周围在震动，原来不是错觉，而是手机在震。

他首先看了眼魏老师的来电记录，是早上九点钟的，响铃7声就挂断了，且没有二次拨打。

一般这种情况下，就不是什么