如果没有周硕的干扰，从0.35微米工艺向0.25微米工艺过渡的光刻机，真实历史上实际使用的是步进重复投影曝光技术。

在0.35微米工艺及之前，光刻机光学掩膜版的制作要求是非常高的。基本上和生产的芯片，是一对一全比例设计。

掩膜版投射的镜头需要与硅片进行完全的接触，接触中甚至要抽成真空状态。然后光源系统的激光打到掩膜版上，投影部分的光刻胶就会被蒸发掉。把这样的晶圆放到蚀刻机里面，化学药品就会将没有覆盖光刻胶的部分腐蚀掉，然后再把晶圆转移到离子注入机上进行离子注入……

把镜头和晶圆直接接触，或者两者之间只有小缝隙的接近，这种光刻机被称之为接触、接近式曝光技术。因为使用这种技术的光刻机镜头要和晶圆进行完全的接触，对掩膜版、镜头、晶圆和光刻胶都有非常高的要求。

这种设计自有其好的一面，对镜头精度要求低，系统复杂度低，以及成像质量高之类的优点。但也有其致命的缺陷，0.35微米工艺基本上就是其经济性的极限了。

0.25微米工艺光刻机想要延续接触式曝光，整个系统需要的机械精密程度，掩膜版的成本、掩膜版和硅片的接触紧密度，系统的集成难度都开始了几何级数的增加。

于是在原本的历史上，尼康也好、阿斯麦也好都选择了另一条路，那就是非接触式曝光。也就是投影式曝光技术。

这种技术说白了，就是好像平常用放大镜聚集太阳光一样。用棱镜系统将光源从远处投射到硅片上。这样经过几次聚焦、折射、再聚焦，最终投影到硅片上的图形比掩膜版甚至可以小上4倍。

对于沉浸式光刻技术而言。投影式曝光技术最大的好处就是——避免了使用防水光刻胶的高成本。

其实说起来，周硕现在真的很想哈哈大笑一下，以发泄自己内心的畅快！