硅片和塑料镜头相比，制造难度上升了可不止一个等级。

不止是设备本身复杂、庞大，对设备本身的材料要求也更高，

比如单晶炉的炉体和炉管，使用的是一种高纯度的sio2，能够承受高温下的化学反应和热应力。

炉底和炉盖这些会与硅材料接触的部分，则由陶瓷材料构成，由高纯度的al2o3和si3n4等耐高温材料制成，热传导和耐腐蚀性能强。

最关键的部位是加热棒。

康驰这套单晶硅提纯的方法，并不是主流的柴可拉斯基法，而是浮带法，也叫区域熔炼法，

这种方法的原理，是在多晶硅棒上套上一个环形加热器，对多晶硅棒进行分段熔炼提纯，最终得到11个9纯度的单晶硅棒。

它的好处是制造的速度，比柴可拉斯基法更快，

用柴克拉斯基法拉出一根12英寸一米五的硅棒，需要耗时8小时左右，而采用浮带法，只需要1个小时甚至更低。

另外，浮带法也可以通过技术手段，改变单晶硅棒的形状，

比如硅片通常都是圆的，硅片经过光刻和蚀刻后变成了晶圆，最后像切蛋糕一样，把晶圆切成几十块方形的芯片，封装后就成了用户手里的cpu。

而从圆到方的过程，自然不可避免地会造成边缘的浪费。

如果采用浮带法，只要改变加热棒的形状，理论上是可以制造出比12英寸还大的硅棒，减少后续对晶圆裁切的浪费，

甚至继续技术突破，拉出方形的硅棒，做到晶圆零浪费也是完全有可能的。

只不过浮带法对熔炼提纯的技术的要求非常高，目前采用这种方法得到的单晶硅棒，良率都很低，属于还待完善的方法。

而康驰这套方案，其实就是改良版的浮带法。

它做法是在加热棒下面，再加一根冷却棒。

这样不但可以更进一步的提高熔炼速度和质量，还能快