v光刻体系。

结构上和以前的duv都还相当类似，完全成熟的技术。

不像阿斯麦的euv光刻机因为没有可以让极紫外线通过的镜头，需要使用反射，能量损失极为严重，每次反射都要浪费30%左右，最终只有2%的利用率。

体积增大的同时光源的高功率还需要配套冷却系统，几乎是相当于完全新开一条赛道了。

所以其实王易这边的euv光刻机出来的还要更早，而且效率和良品率也要远超！

“可是他们也有euv了呀，硅基芯片的物理极限都快到了，老板，人家要升级嘛~”

林诗琴的话也让王易有些无语。

她应该能够知道，王易在量子计算的提升上对她是有一定限制的。

毕竟量子计算的算力指数加成，配合王易的新公式算法，很容易导致失控。

但经典计算机的算力提升，王易肯定还是不会给她什么制约的。

euv光刻机，分辨率远远超过了duv光刻机。

采用的是13.5nm波长，已经接近x射线的极紫外线，.??m

理论上已经能达到硅基芯片的极限！

要知道单个的硅原子也就是0.12nm，还要考虑电子隧穿效应，所以目前正常的观点中，1nm差不多就是硅基芯片的极限了。

当然，当初20nm的时候隧穿效应就已经出现，通过结构调整解决的，说不定等到1nm工艺后又找到了解决办法。

可即便这样，0.12nm的硅原子大小也摆在这里，总不可能把原子分开。

这种情况下，所需要考虑的要么就是通过叠加芯片数目来增加晶体管数，采取新架构和新的方式，要么就要考虑其他材料了。

比如碳基就是一个方向，但碳基有待解决的问题太多了，麻烦还很多。