到达这个极限之后，无论是尼康还是佳能，几乎每年都要投入1-2亿美元的巨额资金来研发突破这个极限的途径。

为了突破这个极限，全球各个光刻机行业的专家们提出了几种途径，其中包括157nm f2激光，电子束投射，离子投射、euv和x光，并形成了以下几大阵营：

其中f2激光技术，这是目前在理论和技术上最为成熟的阵营，在浸润式光刻机出现之前，几乎所有的光刻机企业研究的都是这个技术，目前是美国的svg和日本的尼康，在这两个技术上走的最远，尤其是尼康，他们估计再有个5年左右的时间，就能够拿出最终的产品出来了。

但是这个技术有一个巨大的缺陷，那就是生产成本巨大，改造成本也更加的巨大，而且这个技术的天花板，也就是从50纳米提高到了40纳米左右，提升的幅度只有20%，是典型的投入和产出相差极大的案例。

如果用这种办法制造出来的芯片，最早是现在同等级芯片的价格的三倍以上，如果投放到市场上，他未来所有顶级芯片的旗舰手机的起步价格，就最少要提交2000元人民币左右了。

但这依然是目前最有可能成功的技术。

euv技术，这是技术前景最为光明的，但也是最困难的技术，因为这个技术要从直接改革光源入手，将目前的光刻机光源改革成为紫光，直接从光源上，把50纳米的极限提升到13.5纳米的极限，提升幅度可谓巨大，绝对是市场前景最为广阔的技术。

这个技术难度极高不说，关键是几乎所有的专利和门槛都掌握在美国人的手里面，分布在英特尔，amd，摩托罗拉和美国能源部这些单位之中，尼康手里面几乎没有这方面任何的技术专利。

本来作为美国的小老弟，以前的日本或许还有机会加入到这样的专利联盟手中，但是自从花园广场协议一签，所有日本人都知道美国是