件性能如同坐火箭般的向上蹿升。

现在的效率，已经正式突破了16%的大关——

达到了16.22%！

两个体系性能上的差别，主要来自于短路电流密度。

三元idic-m/二元coi8dfic体系的短路电流密度可以达到14.32毫安每平方厘米，相较于三元idic-m/二元ieico-4f体系的13.98毫安每平方厘米，提升了大约2.4%。

而两者在开路电压和填充因子上的变化并不大。

最终，这种差异反应在器件光电转换效率上，就是从后者的15.91%变化到前者16.22%，刚好也是提升了2%左右（相对数值），与短路电流密度的提升幅度相当。

虽然相对2%的提升，看似很小，但到了最后效率冲刺的阶段，每一点点细微的优化都是非常关键的。

拿到数据后，许秋开始探究这个实验现象背后的原因，看看能不能找到合理的解释，以及进一步优化的空间。

一方面，许秋认为两种叠层体系短路电流密度的变化，可以归因于原本二元单结体系的差异。

虽然coi8dfic和ieico-4f两种材料的禁带宽度相当，但是在实际制备器件的时候，形成的有效层薄膜的显微形貌也会对短路电流密度造成影响。

这就导致在二元单结的体系中，pce10:coi8dfic体系的短路电流密度，就比pce10:ieico-4f要高一些，前者可以达到26毫安每平方厘米左右，而后者只有23-24毫安每平方厘米。

现在把它们用于叠层器件中的顶电池，大概率也会“遗传”一部分它们在二元单结体系时的特性。

另一方面，李丹课题组另外一篇基于coi8dfic三元体系的文章，给了许秋进一步优化的思路。