之前，许秋本来以为银纳米线旋涂出来，可以兼具导电性和透光性两大优点，成为非常完美的半透明电极材料。

但是在实际操作过程中发现，结果并不理想。

他使用蓝河公司购买的银纳米线溶液旋涂出来的薄膜，透光性是满足了，看起来非常的通透，可导电性方面就扑街了，制备出来的器件直接是断路状态。

为了探明原因，许秋用万用表测试了一下银纳米线薄膜的电阻，发现它的阻值在千欧的级别，而平常ito电极的电阻阻值一般在几欧姆的级别，差了三个数量级以上。

后来，他进一步的探索，用afm、tem、sem等各种电镜进行观察，反正模拟实验室里电镜也不花钱，就索性全用上测一遍。

最终结果显示，旋涂得到的银纳米线很多根都是近似平行的或者堆在一起的，而且还有一些已经断掉了的纳米线。

纳米线这种东西想要具有良好的导电性，必须要每根纳米线相互之间接触良好，形成一种类似于网格状的结构。

因此，现在这样的微观结构，导电率低下也就很容易理解了，可能的原因是旋涂过程中对银纳米线造成了取向和破坏。

为了试图解决这个问题，许秋浏览了一下小虫子网站。

发现其他人在旋涂银纳米线的时候，也出现过类似的问题，包括导电性差、稳定性差等，而且没有太好的解决方法。

于是，许秋又去查阅了一些文献，发现制备银纳米线导电薄膜的常用方法，是刮涂、滴涂，以及“slot-die”的方法。

所谓“slot-die”的方法，有点像是刮涂的进阶版本，就是在基片上方一定高度处放一个窄槽，这个窄槽里面不断注入有效层或者传输层溶液，这些溶液会从窄槽中滴落，落到基片上成膜，因为是窄槽，所以形成的薄膜也是细细的窄膜。这个时候，让溶