许秋八点起床，简单洗漱后，去食堂解决早餐。

路途中，他进入模拟实验室ii中查看结果，三种第一代3d-pdi分子，也就是pdi3-b-5/6/8系列，光电性能的初步探索已经完成。

因为有上一次摸索的经验（第一代5/6两个系列，6系列更高，最高值4.37%），这次模拟实验人员对参数的把控更为细致，最终的器件光电效率较上一次有所提升。

当然也可能是因为这次反应的产物更佳。

不论如何，最终的结果，第一代5系列的效率仍然垫底，效率最高值为4.22%，6系列和8系列光电性能相当，最高值分别为4.55%和4.60%。

基于现有给体库，最优适配给体材料均为p3tea，次优适配给体材料均为pce10。

得到这个结果，许秋开始分析。

上周第二代3d-pdi也就是通过光环化反应得到的5系列分子，最高效率达到了5.41%，如果换成6/8系列，大概率还能再次提高，或许能摸到6%。

只可惜，第一代3d-pdi中，8系列的效率相对于6系列，提升并不明显，只有0.05%，四舍五入一下就是0，也不清楚在后续第二代、第三代中这两个系列是否能够拉开差距。

目前，还在实验室进行硒化反应的是第三代5系列3d-pdi，这个材料非常关键，如果其相较于第二代5系列有所提高，大概率可以将此策略同步应用于6/8系列。

那么，今天的任务也确定了，投三个反应，大批量合成第二代5/6/8系列分子，并做好第三代5系列分子的反应后处理。

返回微电子楼，学姐和学妹都还没来，许秋便独自前往实验室，打开窗户通风。

硒化反应预计的反应时间是12小时，190摄氏度的高温，反应条件算是比较激