实现快速光分解。”

“社长，如果我们研发x射线光刻胶，这个可是没有客户的。”马知力提醒道。

目前市面上的光刻机的光源，一般分为紫外光（uv）、深紫外光（duv）、极紫外光（euv），其中最先进的光刻机，就是尼德兰的阿斯麦公司生产的极紫外光（euv），波长为13.4纳米。

但是其实在上个世纪八十年代，光刻机行业之中，还有除了极紫外光（euv）路线，还存在着另一个路线——x射线光刻机。

为什么波长在10纳米以下的x射线光刻机，最后被极紫外光（euv）淘汰?

原因有两个，一是效率问题，x射线照射下光刻胶的光刻速度比较慢；二是精确度问题，为什么说波长10纳米以下的x射线，光刻精度差?因为掩模做不到10纳米以下。

掩模就是电路图的母板，为什么极紫外光（euv）的精度高，原因在于紫外光可以使用凸透镜缩小从掩模过来的光线，而所有人都知道x射线的穿透力非常强，凸透镜根本无法聚焦。

所以x射线光刻机被淘汰了。

市面上没有x射线光刻机，也就意味着没有客户。

“这个问题不是问题。”

“社长没有客户的话……”

黄明哲打断了马知力：“知道x射线光刻机为什么被淘汰吗?”

马知力点了点头。

“效率问题在于光刻胶的光敏性，如果我们研发一种可以在几秒钟内完成光刻的x射线光刻胶，那效率还是问题吗?”黄明哲反问道。

“嗯?”马知力一愣。

确实如同黄明哲说的那样，光刻效率问题其实就是光刻胶光敏性的影响，归根结底就是材料问题，而材料问题不恰恰就是思维社的强项?

“至于凸透镜无法聚焦x射线，我们为什么不制造一种可以聚焦